2022年7月?恒普同時推出2款8英寸雙線圈感應晶體生長爐，新推出的2款全新爐型，對應SIC感應晶體生長爐在8英寸或更大尺寸上的劣勢，也積極對應行業客戶的使用習慣和經驗延續。

在碳化硅8英寸時代到來之際，隨著坩堝的直徑增長，感應線圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大，而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長。恒普在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐，以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術，更優化解決晶體的長大、長快、長厚的行業需求。這就突顯SIC感應晶體生長爐的技術落后，為了對應行業客戶的使用慣性及Know-How的延續，恒普推出了雙線圈感應晶體生長爐，并且同時推出石英管（雙線圈外置）和金屬殼（雙線圈內置）兩款全新爐型。

雙線圈的技術并不是新的技術路線，但是雙線圈的相互干擾，特別是在坩堝中的發熱互相干擾，對工藝調整存在很大難度，物質流傳輸及通道沉積都存在難點，為了克服8英寸感應晶體生長爐的問題點，恒普解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離，做到了【準軸徑分離】，并將技術同時使用在了兩種爐型上，滿足更多客戶的使用習慣。

核心技術

? 坩堝區域溫度分離  （相對分離）

? 采用特殊定制石墨硬氈

? 雙水平式線圈

? 獨特的二次發熱體

? 坩堝與熱場分離

? 物質流的傳輸導流控制

注：以上功能不是2款爐型都有。

產品&技術特點

一、SIC石英管雙線圈（外置）感應晶體生長爐

技術特點：

? 坩堝區域溫度分離

? 方便原工藝過渡

? 水平螺旋線圈，提高磁場平衡與雙線圈匹配

二、SIC金屬殼雙線圈（內置）感應晶體生長爐

技術特點：

? 爐下方向出料，解決8英寸坩堝上取料的不便

? 出料時，坩堝與熱場自動分離，提高爐次的重復性

? 獨特的二次發熱體

? 優化內置線圈絕緣

? 橫向多點測溫

? 采用特殊定制石墨硬氈